Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 13.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R280P6FKSA1
- RS Stock No.:
- 218-3089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R280P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB576.58
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB616.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB115.316 | THB576.58 |
| 10 - 10 | THB112.432 | THB562.16 |
| 15 + | THB110.702 | THB553.51 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R280P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P6 series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPZ60R070P6FKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R160P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190P6FKSA1