Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190P6FKSA1
- RS Stock No.:
- 145-8600
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R190P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,623.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,807.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | THB87.446 | THB2,623.38 | - |
| 60 - 90 | THB85.545 | THB2,566.35 | 2% |
| 120 + | THB83.645 | THB2,509.35 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8600
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R190P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 151W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.21mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 151W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.21mm | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190P6FKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R125P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-220 IPP60R099P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R360P6SATMA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R280P6FKSA1