Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 23.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R160P6XKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R160P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB531.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB568.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 290 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB106.224 | THB531.12 |
| 15 - 20 | THB103.568 | THB517.84 |
| 25 + | THB101.974 | THB509.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R160P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.57 mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.57 mm | ||
Length 10.36mm | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Very high commutation ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon 600V CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R160P6XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220