Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 53.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPZ60R070P6FKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ60R070P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB9,112.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,750.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB303.758 | THB9,112.74 |
| 60 - 90 | THB297.155 | THB8,914.65 |
| 120 + | THB290.552 | THB8,716.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ60R070P6FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 53.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 391W | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 53.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 391W | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.13mm | ||
Height 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPZ60R070P6FKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R280P6FKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190P6FKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R160P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R125P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON