Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 249-6917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S415AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB102,980.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB110,190.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB20.596 | THB102,980.00 |
| 10000 - 10000 | THB19.978 | THB99,890.00 |
| 15000 + | THB19.379 | THB96,895.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S415AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPG20N06S4-15A | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Dual N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Normal Level | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPG20N06S4-15A | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Dual N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Normal Level | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0924NDIATMA1
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6