Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 217-2544
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB20,670.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB22,110.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.89 | THB20,670.00 |
| 6000 - 9000 | THB6.684 | THB20,052.00 |
| 12000 + | THB6.483 | THB19,449.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2544
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | IPN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.8mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series IPN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.8mm | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.
Best-fit performance superjunction technology
Cost-effective package solution
Best-in-class price/performance ratio
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R450P7SATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R750P7SATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R360P7SATMA1