Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R360P7SATMA1

RS Stock No.:: 217-2543
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN60R360P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R360P7SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB566.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB605.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,720 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB28.311	THB566.22
760 - 1480	THB27.603	THB552.06
1500 +	THB27.178	THB543.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2543
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN60R360P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPN
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	111W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Length	8.8mm
	Width	8.8 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPN
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 111W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Length 8.8mm
	Width 8.8 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN60R360P7SATMA1

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Best-fit performance superjunction technology

Cost-effective package solution

Best-in-class price/performance ratio

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R360P7SATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง