Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1

RS Stock No.:: 217-2546
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R1K4P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB931.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB996.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB18.631	THB931.55
750 - 1450	THB18.165	THB908.25
1500 +	THB17.886	THB894.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2546
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R1K4P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	SOT-223
	Series	IPN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	6.2W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Width	3.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type SOT-223
	Series IPN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 6.2W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Width 3.7 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN70R1K4P7SATMA1

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Best-fit performance superjunction technology

Cost-effective package solution

Best-in-class price/performance ratio

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง