Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R450P7SATMA1

RS Stock No.:: 217-2548
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R450P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R450P7SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB289.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB309.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

720 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB14.45	THB289.00
760 - 1480	THB14.089	THB281.78
1500 +	THB13.873	THB277.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2548
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R450P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	IPN
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	6.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.8mm
	Length	6.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series IPN
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 6.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.7 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.8mm
	Length 6.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN70R450P7SATMA1

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Extremely low losses due to very low FOMR DS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses(Eoss)

Product validation acc. JEDEC Standard

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R450P7SATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง