Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 217-2552
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R1K2P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB46,776.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50,049.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB15.592	THB46,776.00
6000 - 9000	THB15.124	THB45,372.00
12000 +	THB14.67	THB44,010.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2552
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R1K2P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	SOT-223
	Series	IPN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	6.8W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Height	1.8mm
	Width	3.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type SOT-223
	Series IPN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 6.8W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Height 1.8mm
	Width 3.7 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN80R1K2P7ATMA1

The Infineon 800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Qg, C iss and C oss Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ

Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง