Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1

RS Stock No.:: 219-6011
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP80R360P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB391.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB418.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB78.254	THB391.27
10 - 95	THB74.342	THB371.71
100 - 245	THB70.626	THB353.13
250 - 495	THB67.094	THB335.47
500 +	THB63.74	THB318.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-6011
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP80R360P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Maximum Power Dissipation Pd	84W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	15.95 mm
	Length	10.36mm
	Height	4.57mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Maximum Power Dissipation Pd 84W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 15.95 mm
	Length 10.36mm
	Height 4.57mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP80R360P7XKSA1

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Easy to drive and to design-in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Easy to select right parts for fine tuning of designs

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง