Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R360P7ATMA1

RS Stock No.:: 217-2534
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R360P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R360P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB594.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB636.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,140 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB59.47	THB594.70
630 - 1240	THB57.983	THB579.83
1250 +	THB57.091	THB570.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2534
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R360P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD80R360P7ATMA1

The Infineon 800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V

Integrated Zener Diode ESD protection

Fully optimized portfolio

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R360P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง