Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

RS Stock No.:: 217-2532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R2K7C3AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB844.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB903.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,620 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB42.211	THB844.22
640 - 1240	THB41.156	THB823.12
1260 +	THB40.523	THB810.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R2K7C3AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.7Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD80R2K7C3AATMA1

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง