Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6785MTRPBF

RS Stock No.:: 215-2581
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6785MTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6785MTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB784.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB839.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,370 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1190	THB78.47	THB784.70
1200 - 2390	THB76.509	THB765.09
2400 +	THB75.331	THB753.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2581
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6785MTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6785MTRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 200V maximum drain source voltage in a DirectFET MZ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD, and EMI. The IRF6785MPbF device utilizes DirectFETTM packaging technology. DirectFETTM packaging technology offers lower parasitic inductance and resistance when compared to conventional wire bonded SOIC packaging.

Latest MOSFET Silicon technology

Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications

Dual sided cooling compatible

Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6785MTRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง