Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB138,350.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB148,036.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4800 - 4800THB28.823THB138,350.40
9600 - 9600THB27.714THB133,027.20
14400 +THB27.364THB131,347.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4736
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF6620TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Standards/Approvals

No

Width

5.05 mm

Height

0.68mm

Length

6.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง