Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET
- RS Stock No.:
- 214-8949
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7675M2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*
THB369,004.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB394,833.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | THB76.876 | THB369,004.80 |
| 9600 - 14400 | THB74.57 | THB357,936.00 |
| 19200 + | THB72.332 | THB347,193.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8949
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7675M2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.05 mm | |
| Height | 0.74mm | |
| Length | 6.35mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.05 mm | ||
Height 0.74mm | ||
Length 6.35mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to produce a best in class part for Automotive Class D audio amplifier applications. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems. These features combine to make this MOSFET a highly desirable component in Automotive Class D audio amplifier systems.
Advanced Process Technology
175°C Operating Temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET AUIRF7675M2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6785MTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin DirectFET IRF6643TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 2-Pin DirectFET