Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 18 A, 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET AUIRF7675M2TR
- RS Stock No.:
- 214-8950
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7675M2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,302.80
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB767.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB821.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 4,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 1190 | THB76.752 | THB767.52 | - |
| 1200 - 2390 | THB74.833 | THB748.33 | THB2,302.80 |
| 2400 + | THB73.683 | THB736.83 | THB7,365.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8950
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7675M2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.05mm | |
| Height | 740μm | |
| Length | 6.35mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.05mm | ||
Height 740μm | ||
Length 6.35mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET AUIRF7675M2TR
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6785MTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin DirectFET IRF6643TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRFS4115TRL7PP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 AUIRFS4115-7TRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 15-Pin DirectFET IRF7779L2TRPBF
