Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF

RS Stock No.:: 215-2578
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6668TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB536.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB573.89

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

820 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1190	THB53.635	THB536.35
1200 - 2390	THB52.294	THB522.94
2400 +	THB51.491	THB514.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2578
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6668TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	DirectFET
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type DirectFET
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6668TRPBF

The Infineon HEXFET® Power MOSFET has 80V maximum drain source voltage in a DirectFET MZ package rated at 55 amperes optimized with low on resistance. The IRF6668PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques. Application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.

Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket

Optimized for Synchronous Rectification

Low Conduction Losses

High Cdv/dt Immunity

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง