Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD65R1K0CEAUMA1

RS Stock No.:: 214-9045
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD65R1K0CEAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD65R1K0CEAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB431.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB462.175

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 600	THB17.278	THB431.95
625 - 1225	THB16.845	THB421.13
1250 +	THB16.586	THB414.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9045
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD65R1K0CEAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS CE
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15.3nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS CE
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.3nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD65R1K0CEAUMA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD65R1K0CEAUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง