Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 214-9102
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R800CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB2,008.575
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,149.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB26.781 | THB2,008.58 |
| 150 - 225 | THB25.977 | THB1,948.28 |
| 300 + | THB25.198 | THB1,889.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9102
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R800CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 800mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Easy to use/drive
Very high commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R800CEAKMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R3K4CEAKMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS65R1K0CEAKMA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R950CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251