Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- RS Stock No.:
- 130-0894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R160P6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB277.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB297.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 886 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 248 | THB138.89 | THB277.78 | - |
| 250 - 498 | THB135.415 | THB270.83 | 2% |
| 500 + | THB133.335 | THB266.67 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R160P6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.31mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Width | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.31mm | ||
Height 9.45mm | ||
Width 4.57mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Panasonic ERA 1.47 kΩ, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6ARB1471V
- Panasonic ERA 402 Ω, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB4020V
- Panasonic ERA 4.42 kΩ, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB4421V
- Panasonic ERA 931 kΩ, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB9313V
- Panasonic ERA 931 Ω, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB9310V
- Panasonic ERA 562 Ω, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB5620V
- Panasonic ERA 19.1 kΩ, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB1912V
- Panasonic ERA 909 kΩ, 0805 Metal Film Surface Mount Resistor ±0.1 % 0.13 W - ERA6AEB9093V
