Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 168-5906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R160P6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB62,966.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB67,374.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB62.966 | THB62,966.00 |
| 2000 - 3000 | THB61.077 | THB61,077.00 |
| 4000 + | THB59.245 | THB59,245.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-5906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R160P6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.31mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.31mm | ||
Height 9.45mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R160P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220