Infineon 600V CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 23.8 A, 600 V N, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 218-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R160P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,520.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,767.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB70.414 | THB3,520.70 |
| 100 - 150 | THB68.883 | THB3,444.15 |
| 200 + | THB67.352 | THB3,367.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R160P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS P6 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS P6 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.13mm | ||
Height 21.1mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. The extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R160P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R160P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R125P6XKSA1