Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- RS Stock No.:
- 214-9069
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R104C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB319,458.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB341,820.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB106.486 | THB319,458.00 |
| 6000 - 9000 | THB103.291 | THB309,873.00 |
| 12000 + | THB100.192 | THB300,576.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9069
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R104C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | VSON | |
| Series | CoolMOS C7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 104mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 122W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 8.1 mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type VSON | ||
Series CoolMOS C7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 104mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 122W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 8.1 mm | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. These are suitable for hard and soft switching functions. It comes with increased power density solutions due to smaller packages. It Incorporates optimized PCB assembly and layout solutions.
Suitable for hard and soft switching
SMD package with very low parasitic inductance for easy device control
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R104C7AUMA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R180P6AUMA1
- Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R210P6AUMA1