Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 15 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1
- RS Stock No.:
- 214-9077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R130C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB256,299.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB274,239.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB85.433 | THB256,299.00 |
| 6000 - 9000 | THB82.87 | THB248,610.00 |
| 12000 + | THB80.384 | THB241,152.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R130C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | VSON | |
| Series | CoolMOS C7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 102W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Width | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type VSON | ||
Series CoolMOS C7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 102W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Width 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 8.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R104C7AUMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON