Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 19.2 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON

RS Stock No.:: 214-9075
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R210P6AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 19.2 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB152,679.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB163,368.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB50.893	THB152,679.00
6000 - 9000	THB49.366	THB148,098.00
12000 +	THB47.885	THB143,655.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9075
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R210P6AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	VSON
	Series	CoolMOS P6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	210mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	151W
	Width	8.1 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Length	8.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type VSON
	Series CoolMOS P6
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 151W
	Width 8.1 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Length 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R210P6AUMA1

600V CoolMOSªP6 Power Transistor

Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

Summary of Features

Reduced gate charge (Q g)

Higher V th

Good body diode ruggedness

Optimized integrated R g

Improved dv/dt from 50V/ns

CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology

Benefits

Improved effciency especially in light load condition

Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off

Suitable for hard- & soft-switching topologies

Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behavior

High robustness and better efficiency

Outstanding quality & reliability

Potential Applications

PFC stages for server, telecom rectifier, PC silverbox, gaming consoles

PWM stages (TTF, LLC) for server, telecom rectifier, PC silverbox, gaming consoles