Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPB65R660CFDAATMA1

RS Stock No.:: 273-2999
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB65R660CFDAATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPB65R660CFDAATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB42,032.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,974.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 +	THB42.032	THB42,032.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.66Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.66Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPB65R660CFDAATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง