Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263

RS Stock No.:: 911-0812
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB017N06N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB60,943.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB65,209.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB60.943	THB60,943.00
2000 - 3000	THB59.114	THB59,114.00
4000 +	THB57.341	THB57,341.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-0812
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB017N06N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	206nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.45 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Length	10.31mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 206nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.45 mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Length 10.31mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง