Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 218-3035
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB84,528.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB90,445.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB84.528 | THB84,528.00 |
| 2000 - 3000 | THB81.992 | THB81,992.00 |
| 4000 + | THB79.532 | THB79,532.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3035
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.
175°C operating temperature
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S404ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S402ATMA2