Infineon 600V CoolMOS G7 SJ N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R102G7XTMA1
- RS Stock No.:
- 214-4426
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R102G7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB959.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,026.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,510 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 495 | THB191.926 | THB959.63 | - |
| 500 - 995 | THB187.13 | THB935.65 | 2% |
| 1000 + | THB184.25 | THB921.25 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4426
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R102G7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | HSOF | |
| Series | 600V CoolMOS G7 SJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 102mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 141W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10.58mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type HSOF | ||
Series 600V CoolMOS G7 SJ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 102mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 141W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10.58mm | ||
Length 10.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS G7 SJ N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R102G7XTMA1
- Infineon CoolMOS P7 SJ N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R3K7P7AKMA1
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT65R040CFD7XTMA1
- Infineon C7 GOLD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon C7 GOLD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R150G7XTMA1
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185CFD7AUMA1
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R285P7AUMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R365P7AUMA1
