Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

RS Stock No.:: 214-4399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R365P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB97,449.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB104,271.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB32.483	THB97,449.00
6000 - 9000	THB31.508	THB94,524.00
12000 +	THB30.563	THB91,689.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R365P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS P7
	Package Type	ThinPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	365mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	8.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS P7
	Package Type ThinPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 365mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 8.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R365P7AUMA1

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง