Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB638.385

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB683.07

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,965 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 615THB42.559THB638.39
630 - 1230THB41.495THB622.43
1245 +THB40.856THB612.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-4396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R1K4CEATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Width

6.42mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง