Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R1K4CEXKSA2
- RS Stock No.:
- 214-4355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB465.405
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB497.985
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 + | THB31.027 | THB465.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | P | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 31W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.85mm | |
| Width | 16.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.68mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode P | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 31W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.85mm | ||
Width 16.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.68mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon CoolMOSE CE MOSFET uses revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.
It is RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V P, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
