Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 214-4371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R360P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB30,552.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB32,691.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB30.552 | THB30,552.00 |
| 2000 - 3000 | THB29.635 | THB29,635.00 |
| 4000 + | THB28.746 | THB28,746.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R360P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 41W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.27 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.02mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 41W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.27 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.02mm | ||
Height 4.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R360P7ATMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R360P7SXKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R360P7ATMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R120P7ATMA1