Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB51,202.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,787.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB20.481THB51,202.50
5000 - 7500THB19.866THB49,665.00
10000 +THB19.27THB48,175.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4387
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD60R360P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

Infineon 600V CoolMOS P7 Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 9A Continuous Drain Current - IPD60R360P7ATMA1


This MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for surface-mounted power conversion and switching applications. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is intended to handle high drain-to-source voltages while providing controlled conduction and switching behaviour in power supplies and related circuits.

Features and Benefits:


• 600V maximum drain-to-source voltage enables high-voltage designs
• 9A continuous drain current supports substantial load capability
• 360mΩ Rds(on) limits conduction losses at operating currents
• 13nC typical gate charge reduces switching energy and stress
• 20V maximum gate-to-source withstands robust drive margins
• 41W power dissipation allows significant thermal loading

Applications


• Suitable for offline switch-mode power supplies
• Ideal for high-voltage DC-DC converters
• Used with bridge and clamped switching topologies
• Can be used for industrial motor-drive front ends
• Appropriate for telecom power distribution modules

What packaging and mounting considerations should I plan for?


It is supplied in a TO-252 package intended for surface-mount assembly

ensure an appropriate land pattern and thermal vias if board-level heat spreading is required.

How does thermal range affect deployment?


The device is specified to operate from -55°C up to 150°C so it can be used in environments with extreme temperature variations without derating for ambient extremes within that range.

What gate-drive constraints apply during layout?


Keep gate leads short to minimise inductance given the 13nC gate charge and respect the ±20V gate-to-source absolute limit during drive and transient conditions.

How should I assess current capability in my design?


Use the 9A continuous drain current rating as a baseline and verify system-level thermal resistance and cooling to maintain junction temperatures within the specified limits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง