Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R360P7ATMA1

RS Stock No.:: 214-4372
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB60R360P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R360P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB435.96

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB466.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,170 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 240	THB43.596	THB435.96
250 - 490	THB42.507	THB425.07
500 +	THB41.854	THB418.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4372
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB60R360P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	600V CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Power Dissipation Pd	41W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.27 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.02mm
	Height	4.5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series 600V CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Power Dissipation Pd 41W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.27 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.02mm
	Height 4.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB60R360P7ATMA1

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R360P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง