Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 214-4369
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R280P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB40,031.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB42,833.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB40.031 | THB40,031.00 |
| 2000 - 3000 | THB38.83 | THB38,830.00 |
| 4000 + | THB37.665 | THB37,665.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4369
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R280P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.02mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Width | 9.27 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.02mm | ||
Height 4.5mm | ||
Width 9.27 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R280P7ATMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R280P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280P7SAUMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263