Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Image representative of range

Bulk discount available

Subtotal (1 reel of 1000 units)*

THB55,680.00

(exc. VAT)

THB59,580.00

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
Units
Per unit
Per Reel*
1000 - 1000THB55.68THB55,680.00
2000 - 3000THB54.009THB54,009.00
4000 +THB52.389THB52,389.00

*price indicative

RS Stock No.:
214-4367
Mfr. Part No.:
IPB60R120P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.5mm

Length

10.02mm

Standards/Approvals

No

Width

9.27 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Related links