Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 18.5 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 165-8158
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP50R190CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,968.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,176.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB59.375 | THB2,968.75 |
| 100 - 150 | THB57.594 | THB2,879.70 |
| 200 + | THB55.866 | THB2,793.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-8158
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP50R190CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 127W | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.57 mm | |
| Height | 15.95mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 127W | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.57 mm | ||
Height 15.95mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP50R190CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R280CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R650CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1