Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-4341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB906.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB969.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 22,065 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB60.404 | THB906.06 |
| 1260 - 2490 | THB58.895 | THB883.43 |
| 2505 + | THB57.989 | THB869.84 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.4mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.4mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 80V Drain Source Voltage, 40A Continuous Drain Current - BSZ070N08LS5ATMA1
This MOSFET is a compact N-channel switching transistor designed for high-current, surface-mount power applications. It operates across a wide temperature span and is engineered for low conduction loss and efficient switching in systems that require robust drain-source performance and moderate gate drive. The device suits PCB-level power stages where a small footprint and PQFN mounting are required.
Features and Benefits:
• Very low on-resistance 9.4mΩ reduces conduction losses
• High continuous current rating 40A supports heavy-load operation
• Drain-source voltage rating 80V enables higher-voltage designs
• Typical gate charge 14.1nC allows faster switching transitions
• Maximum power dissipation 69W helps manage thermal loading
• High continuous current rating 40A supports heavy-load operation
• Drain-source voltage rating 80V enables higher-voltage designs
• Typical gate charge 14.1nC allows faster switching transitions
• Maximum power dissipation 69W helps manage thermal loading
Applications
• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for motor-drive half-bridge stages on compact PCBs
• Used with battery-management circuits in higher-voltage systems
• Can be used for telecoms and server power rails requiring high current
• Ideal for motor-drive half-bridge stages on compact PCBs
• Used with battery-management circuits in higher-voltage systems
• Can be used for telecoms and server power rails requiring high current
What gate-voltage limits must I observe for reliable switching?
The device must not be driven beyond a gate-source potential of 20V to avoid gate-oxide stress.
How does ambient temperature affect continuous operation?
Continuous current capability is specified at standard conditions, but operation across the devices thermal range requires thermal management as power dissipation approaches 69W.
What package characteristics affect PCB layout and soldering?
It uses an 8-pin PQFN surface-mount package with a compact 3.4x3.4mm footprint that requires an appropriate land pattern and thermal vias for heat spreading.
What temperature extremes can it withstand during deployment?
The component is rated to function from -55°C up to 150°C for use in demanding thermal environments.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN
