Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V N, 8-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB66,450.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,100.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB13.29THB66,450.00
10000 - 15000THB12.891THB64,455.00
20000 +THB12.505THB62,525.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4338
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSZ034N04LSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - BSZ034N04LSATMA1


This MOSFET is a surface-mount N-channel switching transistor designed for power conversion and high-current applications. It operates across a wide temperature span and is intended for compact, board-mounted designs where low conduction loss and fast switching are required.

Features and Benefits:


• Very low on-resistance 4.6mΩ reduces conduction losses
• High continuous drain current 40A supports heavy loads
• 40V drain-source rating enables mid-voltage power stages
• Typical gate charge 25nC yields faster switching response
• Power dissipation 52W permits substantial heat handling
• Gate-source limit 20V protects against excessive drive voltages

Applications


• Suitable for DC-DC converter switching stages
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor-drive half-bridge circuits
• Can be used for battery management and power distribution
• Appropriate for high-current point-of-load modules

What mounting approach does it require on a board?


It is supplied in a PQFN surface-mount package designed for soldered PCB attachment and thermal conduction through the package land pattern.

How does its thermal range affect deployment?


Rated from -55 to 150°C it can be placed in environments with extreme ambient and elevated junction temperatures, subject to appropriate thermal design.

What gate drive considerations apply for switching performance?


With a typical gate charge of 25nC, designers should provide sufficient gate-drive current to achieve targeted transition speeds while managing EMI.

Is it configured for enhancement-mode operation?


The device uses an N-channel conduction mode suitable for low-side and high-side configurations when paired with appropriate gate drive and level shifting.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง