Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 214-4340
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB107,565.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB115,095.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 25,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB21.513 | THB107,565.00 |
| 10000 - 15000 | THB20.867 | THB104,335.00 |
| 20000 + | THB20.241 | THB101,205.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4340
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.4mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.4 mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.4mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.4 mm | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.
Summary of Features
Benefits
Potential Applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PQFN