Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1

RS Stock No.:: 214-4343
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ096N10LS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 62 A, 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB514.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB550.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

8,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB51.481	THB514.81
1250 - 2490	THB50.195	THB501.95
2500 +	THB49.422	THB494.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4343
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ096N10LS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PQFN
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.5mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PQFN
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ096N10LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 100V Drain Source Voltage, 62A Continuous Drain Current - BSZ096N10LS5ATMA1

This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mounted power applications where efficient conduction and a compact form factor are required. It operates across a wide thermal span and is suitable for demanding electronic circuits that need robust current handling and low conduction loss without specifying mechanical sizes here.

Features and Benefits:

• Very low on-resistance 13.5mΩ reduces conduction losses
• High continuous drain current 62A supports heavy-load switching
• 100V drain-source rating enables high-voltage operation
• Maximum power dissipation 69W allows elevated thermal loading
• Typical gate charge 12nC permits faster switching at high frequency
• Gate-source withstand 20V provides margin for gate-drive signals

Applications

• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for motor-drive stages requiring high continuous current
• Used with fast-switching regulators in telecoms equipment
• Can be used for battery management in high-voltage systems
• Employed in server power distribution and data centre supplies

What temperature extremes will it tolerate during operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, allowing use in thermally challenging environments.

Which mounting and pin arrangement does it use for PCB assembly?

The component is a surface-mount device provided in an 8-pin PQFN package designed for compact board-level implementation.

What is the conduction channel type and how does that affect circuit design?

It employs an N-channel enhancement device, which requires suitable gate-drive polarity and is optimised for low-side or synchronous switching topologies.

How does the forward voltage influence switching performance?

The forward voltage of 1.2V indicates the diode conduction characteristic during body-diode events and informs conduction loss calculations during commutation.