Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1
- RS Stock No.:
- 214-4339
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ034N04LSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB374.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB400.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 9,060 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB24.938 | THB374.07 |
| 1260 - 2490 | THB24.314 | THB364.71 |
| 2505 + | THB23.94 | THB359.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4339
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ034N04LSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
It provides high system efficiency
It is 100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN BSZ096N10LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN