Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1

RS Stock No.:: 214-4339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ034N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB497.715

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB532.56

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,995 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB33.181	THB497.72
1260 - 2490	THB32.351	THB485.27
2505 +	THB31.853	THB477.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ034N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PQFN
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PQFN
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ034N04LSATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - BSZ034N04LSATMA1

This MOSFET is a surface-mount N-channel switching transistor designed for power conversion and high-current applications. It operates across a wide temperature span and is intended for compact, board-mounted designs where low conduction loss and fast switching are required.

Features and Benefits:

• Very low on-resistance 4.6mΩ reduces conduction losses
• High continuous drain current 40A supports heavy loads
• 40V drain-source rating enables mid-voltage power stages
• Typical gate charge 25nC yields faster switching response
• Power dissipation 52W permits substantial heat handling
• Gate-source limit 20V protects against excessive drive voltages

Applications

• Suitable for DC-DC converter switching stages
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor-drive half-bridge circuits
• Can be used for battery management and power distribution
• Appropriate for high-current point-of-load modules

What mounting approach does it require on a board?

It is supplied in a PQFN surface-mount package designed for soldered PCB attachment and thermal conduction through the package land pattern.

How does its thermal range affect deployment?

Rated from -55 to 150°C it can be placed in environments with extreme ambient and elevated junction temperatures, subject to appropriate thermal design.

What gate drive considerations apply for switching performance?

With a typical gate charge of 25nC, designers should provide sufficient gate-drive current to achieve targeted transition speeds while managing EMI.

Is it configured for enhancement-mode operation?

The device uses an N-channel conduction mode suitable for low-side and high-side configurations when paired with appropriate gate drive and level shifting.