Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 232-6768
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- ISZ0602NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB99,890.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB106,880.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB19.978 | THB99,890.00 |
| 10000 - 10000 | THB18.98 | THB94,900.00 |
| 15000 + | THB18.031 | THB90,155.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6768
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- ISZ0602NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.1 mm | |
| Height | 3.4mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.1 mm | ||
Height 3.4mm | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1