Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC019N04LSATMA1

RS Stock No.:: 258-0683
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC019N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC019N04LSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB110.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB117.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,976 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB55.02	THB110.04
10 - 98	THB52.27	THB104.54
100 - 248	THB47.045	THB94.09
250 - 498	THB39.99	THB79.98
500 +	THB31.99	THB63.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-0683
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC019N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	161A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.20mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 161A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.20mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC019N04LSATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain-Source Voltage, 161A Maximum Continuous Drain Current - BSC019N04LSATMA1

This MOSFET is a surface-mount N‑channel power transistor designed for high-current switching in Compact assemblies. It operates across a wide ambient range and is suited to thermally stressed environments. The device offers low conduction losses and is supplied in an eight-pin TDSON package for dense board layouts.

Features and Benefits:

• 1.20mΩ Rds(on) reduces conduction losses for efficiency
• 78W power dissipation supports sustained high-power operation
• 21 nC gate charge enables controlled switching transitions
• ±20V gate rating tolerates robust drive voltages
• -55°C to +175°C range allows extreme temperature endurance

Applications

• Suitable for high-current DC-DC conversion stages
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with MOSFET drivers in motor-control inverters
• Can be used for server and telecoms power distribution
• Suitable for Compact surface-mount power modules

What package type facilitates Compact board layouts?

It is supplied in an eight-pin TDSON surface-mount package that saves board area and eases thermal interfacing.

How does the device handle high continuous currents?

The transistor supports a continuous drain current of 161A, enabling sustained high-current switching when mounted with appropriate thermal management.

What standards and material restrictions apply to the component?

The device meets RoHS requirements and follows IEC 61249-2-21 material specifications.

What is the maximum volt capability between drain and source?

The maximum permissible drain-source voltage is 40V, defining its safe operating voltage boundary.

What channel configuration does the transistor use?

It uses an N‑channel configuration suited to low-side or synchronous switching topologies.