Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN BSZ146N10LS5ATMA1
- RS Stock No.:
- 215-2473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB713.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB763.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 1240 | THB35.68 | THB713.60 |
| 1260 - 2480 | THB34.788 | THB695.76 |
| 2500 + | THB34.253 | THB685.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.
Low R DS(on) in small package
Low gate charge
Lower output charge
Logic level compatibility
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN BSZ040N04LSGATMA1
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ40N10S5N130ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN