STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 210-8741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD15N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB175,925.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188,250.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB70.37 | THB175,925.00 |
| 5000 - 7500 | THB68.259 | THB170,647.50 |
| 10000 + | THB66.211 | THB165,527.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-8741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD15N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 338mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 6.2 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 338mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Width 6.2 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15N60DM6
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N340K6
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD16N60M2
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252