STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6
- RS Stock No.:
- 225-0671
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD9N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB81,897.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB87,630.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | THB32.759 | THB81,897.50 |
| 7500 - 10000 | THB31.499 | THB78,747.50 |
| 12500 + | THB31.10 | THB77,750.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-0671
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD9N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 76W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 76W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
584
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15N60DM6
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12N60DM6
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N60DM2
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R600P7ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R600P7SAUMA1
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N340K6
- STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP