STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin Hip-247 SCTWA40N120G2V-4
- RS Stock No.:
- 212-2094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB687.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB735.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 14 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB687.13 |
| 8 - 14 | THB669.95 |
| 15 + | THB659.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 212-2094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 277W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 21.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTWA40N120G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 277W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Width 21.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
SiC MOSFET
The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.
Very low switching losses
Low power losses at high temperatures
Higher operating temperature (up to 200 ˚C)
Body diode with no recovery losses
Easy to drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2VAG